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晶体管
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APT46GA90JD40

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Combi
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数量单价合计
1
¥223.9886
223.9886
5
¥213.9203
1069.6015
10
¥207.242
2072.42
25
¥190.405
4760.125
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
900 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
在25 C的连续集电极电流
87 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
284 W
封装 / 箱体
SOT-227-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
高度
9.6 mm
长度
38.2 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
25.4 mm
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
30 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
POWER MOS 8, ISOTOP
单位重量
30 g
商品其它信息
优势价格，APT46GA90JD40的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PD20010TR-E
STMicroelectronics
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power tran LdmoST N-chann
1:¥139.5437
10:¥128.3228
25:¥123.0231
100:¥108.3444
600:¥96.4342
参考库存:28430
DCX51-16-13
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1000W -45Vceo
2,500:¥1.00683
参考库存:28435
TSM6866SDCA RVG
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET Dual 20V N channel Mosfet
12,000:¥1.7063
24,000:¥1.6724
参考库存:28440
IPB60R045P7ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
1,000:¥41.0303
2,000:¥39.4935
参考库存:28445
TSM220NB06LCR RLG
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 60V 35A 22mOhm N-Chan Pwr MOSFET
1:¥6.5314
10:¥5.763
100:¥4.4296
500:¥3.277
2,500:¥2.3052
5,000:查看
参考库存:28450

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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