TSM220NB06LCR RLG详细信息_TSM220NB06LCR RLG相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Taiwan Semiconductor
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	PDFN56-8
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	60 V
Id-连续漏极电流	35 A
Rds On-漏源导通电阻	22 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	1 V
Vgs - 栅极-源极电压	20 V
Qg-栅极电荷	23 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 175 C
Pd-功率耗散	68 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
封装	Reel
系列	TSM
晶体管类型	Single N-Channel Power MOSFET
商标	Taiwan Semiconductor
正向跨导 - 最小值	36 S
下降时间	18 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	19 ns
工厂包装数量	2500
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	14 ns
典型接通延迟时间	1 ns

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
MPQ6002	Central Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Quad NPN/PNP	1:¥37.2674 10:¥33.2672 100:¥30.2727 250:¥27.3573	参考库存:5196
RUF020N02TL	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Trans MOSFET N-CH 20V 2A	1:¥3.5369 10:¥2.6555 100:¥1.4464 1,000:¥1.08367 3,000:¥0.92999	参考库存:40548
FQU10N20CTU	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-CH/200V/10A/QFET	1:¥6.4523 10:¥5.3449 100:¥3.4465 1,000:¥2.7685	参考库存:24910
IRFI9634GPBF	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET P-CH -250V HEXFET MOSFET	1:¥13.9894 10:¥11.6842	参考库存:9842
FDP3672	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 105V 41a 0.033 Ohms/VGS=10V	1:¥13.9894 10:¥11.8311 100:¥9.4468 500:¥8.2942	参考库存:12444