TSM220NB06LCR RLG详细信息_TSM220NB06LCR RLG相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Taiwan Semiconductor
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	PDFN56-8
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	60 V
Id-连续漏极电流	35 A
Rds On-漏源导通电阻	22 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	1 V
Vgs - 栅极-源极电压	20 V
Qg-栅极电荷	23 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 175 C
Pd-功率耗散	68 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
封装	Reel
系列	TSM
晶体管类型	Single N-Channel Power MOSFET
商标	Taiwan Semiconductor
正向跨导 - 最小值	36 S
下降时间	18 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	19 ns
工厂包装数量	2500
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	14 ns
典型接通延迟时间	1 ns

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
STF21P6LLF6	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET	1:¥11.3678 10:¥9.605 100:¥7.684 500:¥6.7348 1,000:¥5.5709	参考库存:32926
DMT3004LFG-7	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V	2,000:¥2.7007	参考库存:32931
BC807-16LWF	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BC807-16LW/SOT323/SC-70	1:¥1.2317 10:¥1.1639 100:¥0.4068 1,000:¥0.27685	参考库存:32936
SMMUN2238LT1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT23 BR XSTR NPN 50V	1:¥2.8476 10:¥1.8306 100:¥0.78422 1,000:¥0.60681 3,000:¥0.46104	参考库存:32941
DMN2004WKQ-7	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V	1:¥3.4578 10:¥2.4408 100:¥1.12209 1,000:¥0.86106 3,000:¥0.73789	参考库存:32396