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晶体管
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STGIPN3H60-E

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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
3-Phase
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.15 V
在25 C的连续集电极电流
3 A
栅极—射极漏泄电流
-
Pd-功率耗散
8 W
封装 / 箱体
NDIP-26
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
SLLIMM
商标
STMicroelectronics
安装风格
Through Hole
栅极/发射极最大电压
-
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
476
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,STGIPN3H60-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 30V 19A 4.5mOhm 29nC
1:¥10.5994
10:¥9.0626
100:¥6.9834
500:¥6.1698
1,000:¥4.8703
4,000:¥4.8703
参考库存:24644
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 400V 0.5A
1:¥6.6105
10:¥5.6613
100:¥4.3505
500:¥3.842
1,000:¥3.0397
参考库存:30846
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 300mA SOT-23-3
1:¥2.2261
10:¥1.5142
100:¥0.63732
1,000:¥0.43053
3,000:¥0.33787
参考库存:245638
晶体管
MOSFET N-Ch 200V 84A TO220-3
1:¥46.6464
10:¥39.6517
100:¥34.352
250:¥32.5779
参考库存:7510
晶体管
MOSFET 30V 4.0A 1.25W 53mohm @ 10V
1:¥5.2206
10:¥4.2262
3,000:¥4.2262
参考库存:52542
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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