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晶体管
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STGIPN3H60-E

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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
3-Phase
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.15 V
在25 C的连续集电极电流
3 A
栅极—射极漏泄电流
-
Pd-功率耗散
8 W
封装 / 箱体
NDIP-26
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
SLLIMM
商标
STMicroelectronics
安装风格
Through Hole
栅极/发射极最大电压
-
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
476
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,STGIPN3H60-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Pwr LDMOS Trx, 2.3-4GHz 45W
250:¥747.495
参考库存:29384
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT NPN 550V 6A 3-Pin(3+Tab)
5,000:¥2.3278
10,000:¥2.2487
25,000:¥2.1583
参考库存:29389
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
10,000:¥0.27685
20,000:¥0.26103
50,000:¥0.24634
100,000:¥0.2147
参考库存:29394
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP GP Power
280:¥34.1938
500:¥27.6624
1,000:¥25.8205
2,500:¥24.5888
参考库存:29399
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 10K 47K
3,000:¥0.3842
9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
参考库存:29404
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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