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晶体管
AUIRFS3206参考图片

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AUIRFS3206

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 60V 210A 3 mOhm Automotive MOSFET
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库存:28,146(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥31.1993
31.1993
10
¥26.5098
265.098
100
¥22.9729
2297.29
250
¥21.8203
5455.075
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
210 A
Rds On-漏源导通电阻
2.4 mOhms
Qg-栅极电荷
120 nC
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
资格
AEC-Q101
封装
Tube
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001521188
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,AUIRFS3206的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
1:¥2.0001
10:¥1.8419
100:¥1.1978
1,000:¥0.40002
3,000:¥0.32996
参考库存:30909
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRLU014PBF
1:¥22.7469
10:¥18.9049
100:¥14.5996
500:¥12.8368
参考库存:30914
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SM SIG TRANS FLT LD 1.6x1.6mm
3,000:¥0.52997
9,000:¥0.48364
24,000:¥0.45313
参考库存:30919
晶体管
MOSFET LO CURR HI EFF MOSFT HI BREAKDWN RESIST
1:¥16.3624
10:¥13.9103
100:¥11.1418
500:¥9.7632
2,500:¥7.5032
5,000:查看
参考库存:30924
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 100MA
1:¥2.0001
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
3,000:¥0.29154
参考库存:30929
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    50万现货SKU

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