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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	1 kOhms
典型电阻器比率	10
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	EMT-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	140
集电极—发射极最大电压 VCEO	30 V
集电极连续电流	200 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最大工作温度	+ 150 C
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
商标	ROHM Semiconductor
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
零件号别名	DTD713ZE

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
NX3008PBK,215	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V 230 MA P-CH TRENCH MOSFET	1:¥2.3843 10:¥1.582 100:¥0.66105 1,000:¥0.45313 3,000:¥0.35369	参考库存:305056
STW57N65M5	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5	1:¥97.5868 10:¥89.7446 25:¥86.0608 100:¥75.8456	参考库存:6413
MJB44H11G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 8A 80V 50W NPN	1:¥9.0626 10:¥7.7631 100:¥5.9099 500:¥5.2206	参考库存:28560
FDS5670	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET SO-8 N-CH 60V	1:¥12.6786 10:¥10.8367 100:¥8.6784 500:¥7.5371 1,000:¥6.2489 2,500:¥6.2489	参考库存:26982
ULQ2003ATPWRQ1	Texas Instruments	晶体管	PDF数据手册	达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Current Dar Transistor Array	1:¥6.8365 10:¥5.8421 100:¥4.4635 500:¥3.9437 2,500:¥2.7685 10,000:查看	参考库存:25339