TSM045NB06CR RLG详细信息_TSM045NB06CR RLG相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Taiwan Semiconductor
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	PDFN56-8
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	60 V
Id-连续漏极电流	104 A
Rds On-漏源导通电阻	5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	2 V
Vgs - 栅极-源极电压	20 V
Qg-栅极电荷	104 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 175 C
Pd-功率耗散	136 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
封装	Reel
系列	TSM
晶体管类型	Single N-Channel Power MOSFET
商标	Taiwan Semiconductor
正向跨导 - 最小值	67 S
下降时间	22 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	22 ns
工厂包装数量	2500
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	56 ns
典型接通延迟时间	8 ns

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
RD3H200SNFRATL	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Nch 45V Vdss 20A ID TO-252(DPAK); TO-252	1:¥11.2209 10:¥9.5259 100:¥7.3563 500:¥6.5088 1,000:¥5.1415 2,500:¥4.5539	参考库存:16226
BCX 70G E6327	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon AF TRANSISTOR	1:¥1.5368 10:¥1.08367 100:¥0.45313 1,000:¥0.30736 3,000:¥0.24634	参考库存:48433
STI40N65M2	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAK package	1:¥33.5045 10:¥28.5099 100:¥24.6679 250:¥23.4362	参考库存:8130
STL20NF06LAG	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Automotive-grade N-channel 60 V, 27 mOhm typ., 20 A STripFET II Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package	1:¥8.9948 10:¥7.684 100:¥5.9212 500:¥5.2319 3,000:¥3.6612 9,000:查看	参考库存:4017
AUIRL3705ZL	Infineon / IR	晶体管	PDF数据手册	MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms	1:¥19.21 10:¥16.3624 100:¥13.0628 500:¥11.4469	参考库存:4384