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晶体管
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DMG3418L-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch Enh FET 30V 12Vgss 4.0A 1.4W
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数量单价合计
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¥0.5763
5763
20,000
¥0.53788
10757.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
5.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.4 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerDI
封装
Reel
系列
DMG3418
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1.6 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10.3 ns
典型接通延迟时间
1.9 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPA65R380C6
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 700V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS C6
1:¥15.6731
10:¥13.2888
100:¥10.5994
500:¥9.2999
1,000:¥7.684
参考库存:2446
DDA123JH-7
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 2.2K 47K
3,000:¥0.66105
9,000:¥0.5989
24,000:¥0.56048
参考库存:47243
SPA11N80C3XKSA2
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET LOW POWER_LEGACY
1:¥21.131
10:¥17.8992
100:¥14.3736
500:¥12.5204
1,000:¥10.3734
参考库存:2440
SH8K5TB1
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET Nch+Nch 30V 3.5A MOSFET
1:¥6.4523
10:¥5.3675
100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
2,500:¥2.7685
参考库存:26817
BF820,215
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS HV TAPE-7
1:¥3.5369
10:¥2.486
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
3,000:¥0.7458
参考库存:46382

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    50万现货SKU

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