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FF400R33KF2C

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¥9,870.1771
9870.1771
5
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48562.089
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
否
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
3300 V
集电极—射极饱和电压
3.4 V
在25 C的连续集电极电流
660 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
4.8 kW
封装 / 箱体
IHM
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
38 mm
长度
140 mm
宽度
130 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
2
子类别
IGBTs
零件号别名
FF400R33KF2CNOSA1 SP000100614
商品其它信息
优势价格，FF400R33KF2C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N5655
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) . .
1:¥10.9836
10:¥8.9948
100:¥7.458
500:¥5.7517
参考库存:13147
FF400R12KE3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 1200V 400A DUAL HALF BRIDGE
1:¥1,217.1456
5:¥1,187.7882
10:¥1,158.363
25:¥1,142.0684
参考库存:3634
CMUT2907A TR
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP
1:¥3.2996
10:¥2.3843
100:¥1.3673
1,000:¥0.99892
3,000:¥0.86106
参考库存:3576
CMPT491E TR
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Enhanced
1:¥3.842
10:¥2.4634
100:¥1.1978
1,000:¥0.89157
3,000:¥0.76049
参考库存:46573
BC 817K-40W H6327
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1:¥1.8419
10:¥1.2656
100:¥0.52997
1,000:¥0.3616
3,000:¥0.28476
参考库存:166530

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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