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产品分类

晶体管
IPD65R250E6XTMA1参考图片

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IPD65R250E6XTMA1

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库存:26,144(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥20.5208
20.5208
10
¥17.4472
174.472
100
¥13.9103
1391.03
500
¥12.2153
6107.65
2,500
¥9.379
23447.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
16.1 A
Rds On-漏源导通电阻
230 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
45 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
208 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
CoolMOS E6
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Power Transistor
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
76 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
IPD65R250E6 IPD65R25E6XT SP000898656
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPD65R250E6XTMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 650 V 0.308 Ohm 11A MDmesh M5
1:¥30.3518
10:¥25.8205
100:¥22.3627
250:¥21.2101
2,500:¥15.2889
5,000:查看
参考库存:14488
晶体管
MOSFET Pch -60V -14A TO-252(DPAK)
1:¥9.9101
10:¥8.4524
100:¥6.4749
500:¥5.7291
2,500:¥5.7291
参考库存:32400
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT23 GP XSTR PNP
1:¥3.7629
10:¥2.4295
100:¥1.04525
1,000:¥0.79891
3,000:¥0.60681
参考库存:21132
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40Vceo PNP -2A Ic 730mW -225mV 90mOhm
1:¥2.9154
10:¥2.1809
100:¥1.1865
1,000:¥0.89157
3,000:¥0.7684
9,000:¥0.71416
参考库存:16049
晶体管
MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 65mOhms 42nC
1:¥8.5315
10:¥7.2885
100:¥5.6048
500:¥4.9494
1,000:¥3.9098
2,000:¥3.9098
参考库存:184496
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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