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晶体管
DMN30H4D0L-13参考图片

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DMN30H4D0L-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch Enh FET 300V 20Vgs 0.25A 0.31W
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¥1.2656
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
300 V
Id-连续漏极电流
550 mA
Rds On-漏源导通电阻
4 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
7.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
630 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
系列
DMN30
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
-
下降时间
17.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.7 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25.8 ns
典型接通延迟时间
4.9 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，DMN30H4D0L-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BUL58D
STMicroelectronics
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Hi Vltg Fast Swtchng NPN Pwr Transistor
1:¥7.0738
10:¥6.0907
100:¥4.6782
500:¥4.1358
参考库存:11933
A2C25S12M3
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晶体管
IGBT 模块 PTD HIGH VOLTAGE
1:¥389.1946
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10:¥363.1481
25:¥347.927
参考库存:1495
SISF00DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
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1:¥11.3678
10:¥9.379
100:¥7.2207
500:¥6.215
1,000:¥4.9042
3,000:¥4.5765
参考库存:31317
ZVN4525ZTA
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET N-Chnl 250V
1:¥6.3054
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
参考库存:25344
FDMC86259P
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET PT5 150/25V PchMOSFET
1:¥15.8313
10:¥13.447
100:¥10.7576
500:¥9.379
1,000:¥7.7631
3,000:¥7.2659
参考库存:16271

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