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晶体管
BFP 405F H6327参考图片

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BFP 405F H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥2.9945
2.9945
10
¥2.5199
25.199
100
¥1.5368
153.68
1,000
¥1.1865
1186.5
3,000
¥1.01474
3044.22
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFP405
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
4.5 V
发射极 - 基极电压 VEBO
1.5 V
集电极连续电流
12 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSFP-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
130
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
Infineon Technologies
增益带宽产品fT
25 GHz
Pd-功率耗散
55 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP405FH6327XTSA1 BFP45FH6327XT SP000745258
商品其它信息
优势价格,BFP 405F H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD
400:¥316.4226
参考库存:35434
晶体管
MOSFET 600V, 4A, 1.4OHMS N Channel Power Mosfet
15,000:¥2.825
24,375:¥2.7572
参考库存:35439
晶体管
MOSFET 60V 300A 1.9 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET
1,600:¥20.4417
2,500:¥19.436
参考库存:35444
晶体管
MOSFET 600V 5.0Amp 420Vrms 5.0A 150Ifsm 125pF
5,000:¥2.4973
10,000:¥2.4069
25,000:¥2.3052
参考库存:83685
D3
晶体管
MOSFET 280 mOhm 650V Superjunction Power MOSFET in TO-220 FullPak
1,000:¥6.1246
2,500:¥5.7065
5,000:¥5.4918
10,000:¥5.2884
参考库存:35451
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    50万现货SKU

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