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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	4.7 kOhms
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	EMT-6
直流集电极/Base Gain hfe Min	100
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	EMH3
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	600
发射极 - 基极电压 VEBO	5 V
高度	0.5 mm
长度	1.6 mm
宽度	1.2 mm
商标	ROHM Semiconductor
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors
零件号别名	EMH3
单位重量	5 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
JAN2N3499	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT	1:¥194.6312 5:¥184.8793 10:¥180.0316 25:¥165.432	参考库存:29409
R6025FNZ1C9	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 10V Drive Nch MOSFET	1:¥46.104 10:¥39.1884 100:¥33.9678 250:¥32.2728 450:¥28.8941	参考库存:29414
D44C8	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V NPN BIP hFE 100-220	1:¥6.7574 10:¥5.7743 100:¥4.4296 500:¥3.9211	参考库存:29419
SD2931-12W	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz	1:¥544.3323 5:¥534.3431 10:¥520.5119 25:¥510.2967	参考库存:29424
TSM900N06CP ROG	Taiwan Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 60V 11A N Channel Power Mosfet	2,500:¥1.3899 5,000:¥1.3899 10,000:¥1.356 25,000:¥1.3108	参考库存:29429