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晶体管
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BSD840NH6327XT

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库存:29,014(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.4521
24.521
100
¥1.13
113
1,000
¥0.86784
867.84
3,000
¥0.73789
2213.67
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
880 mA
Rds On-漏源导通电阻
270 mOhms, 270 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
300 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
260 pC, 260 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
2 mm
系列
BSD840
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
1.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
2.5 S, 2.5 S
下降时间
900 ps, 900 ps
产品类型
MOSFET
上升时间
2.2 ns, 2.2 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
7.8 ns, 7.8 ns
典型接通延迟时间
1.9 ns, 1.9 ns
零件号别名
BSD840NH6327XTSA1 SP000917654
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
优势价格,BSD840NH6327XT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET NCh 8.4ohm VGS10V10uAVDS60V
1:¥7.5258
10:¥6.0116
100:¥4.6104
500:¥4.0793
参考库存:3286
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DIGITL PNP 50V 30MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:44458
晶体管
MOSFET NMOS-Single
1:¥3.3787
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:18670
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥2.8476
10:¥1.921
100:¥0.79891
1,000:¥0.54579
2,000:¥0.43053
参考库存:71902
晶体管
MOSFET MOSFET NChtrr135ns 0.082ohm DTMOS
1:¥49.4827
10:¥44.5672
25:¥40.567
100:¥36.6572
参考库存:12189
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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