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晶体管
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VRF151

  • Microsemi
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
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库存：4,005(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥423.0833
423.0833
2
¥411.5573
823.1146
5
¥400.1782
2000.891
10
¥388.7313
3887.313
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
16 A
Vds-漏源极击穿电压
180 V
增益
22 dB
输出功率
150 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Box
工作频率
175 MHz
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
类型
RF Power MOSFET
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
5 mS
Pd-功率耗散
300 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
40 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3.6 V
商品其它信息
优势价格，VRF151的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDS3672
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 100V 7.5a .22 Ohms/VGS=1V
1:¥10.1474
10:¥8.6784
100:¥6.6444
500:¥5.876
1,000:¥4.633
2,500:¥4.633
参考库存:15109
TP0604N3-G
Microchip Technology
晶体管
MOSFET 40V 2 Ohm
1:¥9.5259
10:¥9.379
25:¥7.91
100:¥7.1981
参考库存:6381
BFP840FESDH6327XTSA1
Infineon Technologies
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥3.3787
10:¥2.8476
100:¥1.7402
1,000:¥1.3447
3,000:¥1.1413
参考库存:31043
PMDXB950UPEZ
Nexperia
晶体管
MOSFET 20 V, dual P-channel Trench MOSFET
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
5,000:¥0.71416
参考库存:51580
CSD13383F4T
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 12V N-Channel FemtoFET MOSFET
1:¥3.0736
10:¥2.3052
100:¥1.2656
250:¥1.2656
1,000:¥0.94468
参考库存:6122

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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