RN1107,LF(CT详细信息_RN1107,LF(CT相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	10 kOhms
典型电阻器比率	0.213
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-416-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	80
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
Pd-功率耗散	100 mW
系列	RN1107
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
发射极 - 基极电压 VEBO	6 V
商标	Toshiba
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	6 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
FF650R17IE4D_B2	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 IGBT 1700V 650A	1:¥4,524.2601 5:¥4,251.6363	参考库存:33766
TIP42CG	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 6A 100V 65W PNP	1:¥4.6104 10:¥3.7968 100:¥2.4521 1,000:¥1.9549	参考库存:102757
MRF448	MACOM	晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 2-30MHz 250Watts 50Volt Gain 12dB	1:¥898.9489 2:¥874.055 5:¥854.0766 10:¥829.1036	参考库存:4819
MMBT589LT1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 2A 30V Switching PNP	1:¥3.2318 10:¥2.26 100:¥1.03734 1,000:¥0.79891 3,000:¥0.68365	参考库存:213756
MMBF4393LT1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	JFET 30V 10mA	1:¥3.3787 10:¥2.3391 100:¥1.07576 1,000:¥0.82264 3,000:¥0.69947	参考库存:532503