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BSM75GB120DLC

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数量单价合计
1
¥657.9086
657.9086
5
¥645.7611
3228.8055
10
¥616.7201
6167.201
25
¥596.1993
14904.9825
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
否
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.4 V
在25 C的连续集电极电流
170 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
690 W
封装 / 箱体
32 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
30.5 mm
长度
94 mm
宽度
34 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM75GB120DLCHOSA1 SP000100473
商品其它信息
优势价格，BSM75GB120DLC的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1:¥248.7356
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BC52-10PA,115
Nexperia
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Chemical content BC52-10PA
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10:¥2.2374
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
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2SK3811-ZP-E1-AY
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参考库存:25577
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10:¥1.6611
100:¥0.69156
1,000:¥0.47686
3,000:¥0.36838
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MZ0912B100Y
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晶体管
射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz Gain 7dB NPN
50:¥2,375.5086
参考库存:25584

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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