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DF150R12RT4

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数量单价合计
1
¥417.7836
417.7836
5
¥408.4046
2042.023
10
¥392.4942
3924.942
25
¥379.8156
9495.39
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.15 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
790 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
DF150R12RT4HOSA1 SP000711868
商品其它信息
优势价格，DF150R12RT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMG2305UX-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET P-Ch ENH FET -20V 52mOhm -5.0V
10,000:¥0.36838
20,000:¥0.34578
50,000:¥0.32996
参考库存:33680
DDTD143EC-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 4.7K
3,000:¥0.33787
9,000:¥0.29154
24,000:¥0.27685
45,000:¥0.25312
参考库存:33685
DSA7004R0L
Panasonic
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPLR PW TRANS FLAT LEAD 4.5x4.0mm
1,000:¥2.1922
参考库存:33690
2N6543
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220:¥37.5725
260:¥34.4989
500:¥29.041
1,000:¥27.4364
参考库存:7883
ZXTP2012A
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V PNP Low Sat
4,000:¥2.5312
参考库存:33697

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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