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晶体管
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A2C25S12M3

  • STMicroelectronics
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  • IGBT 模块 PTD HIGH VOLTAGE
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库存：1,495(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥389.1946
389.1946
5
¥380.5162
1902.581
10
¥363.1481
3631.481
25
¥347.927
8698.175
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
技术
Si
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Converter Inverter Brake
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
在25 C的连续集电极电流
25 A
栅极—射极漏泄电流
500 nA
Pd-功率耗散
197 W
封装 / 箱体
ACEPACK2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
A2C25S12M3
商标
STMicroelectronics
安装风格
Through Hole
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
18
子类别
IGBTs
商标名
ACEPACK
商品其它信息
优势价格，A2C25S12M3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STP140NF55
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 55 Volt 80 Amp
1:¥22.4418
10:¥19.0518
100:¥15.2098
500:¥13.2888
参考库存:32377
HS2369A
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
100:¥149.612
250:¥137.4645
500:¥126.6278
参考库存:32382
RM8N650IP
Rectron
晶体管
MOSFET TO-251 MOSFET
1,600:¥5.7856
3,200:¥4.9607
5,600:¥4.5313
10,400:¥4.1358
参考库存:32387
ALD310704SAL
Advanced Linear Devices
晶体管
MOSFET Quad P-Channel EPAD Matched Pair
暂无价格
参考库存:32392
2N3418S
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥127.9386
250:¥117.5652
500:¥108.2653
参考库存:32397

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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