您好!欢迎来到维基芯城 登录 注册

产品分类

晶体管
A2C25S12M3参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

A2C25S12M3

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 模块 PTD HIGH VOLTAGE
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:1,495(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥389.1946
389.1946
5
¥380.5162
1902.581
10
¥363.1481
3631.481
25
¥347.927
8698.175
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 模块
RoHS
技术
Si
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Converter Inverter Brake
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
在25 C的连续集电极电流
25 A
栅极—射极漏泄电流
500 nA
Pd-功率耗散
197 W
封装 / 箱体
ACEPACK2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
A2C25S12M3
商标
STMicroelectronics
安装风格
Through Hole
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
18
子类别
IGBTs
商标名
ACEPACK
商品其它信息
优势价格,A2C25S12M3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥7.8422
10:¥7.1416
25:¥5.989
100:¥5.4579
250:¥5.0737
2,000:¥5.0737
参考库存:30731
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
1:¥73.3031
10:¥66.3084
25:¥63.2348
100:¥54.8615
3,000:¥40.115
参考库存:30736
晶体管
IGBT 晶体管 600V/10A/w/FRD
1:¥17.9783
10:¥15.2889
100:¥12.2153
500:¥10.6785
1,000:¥8.8366
参考库存:9671
晶体管
射频(RF)双极晶体管 TXARRAY NPN GILBERT CELL 8W MILEL
1:¥73.0771
10:¥66.0824
25:¥63.0088
100:¥54.7146
2,500:¥39.9568
参考库存:30743
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 5 mOhms
1:¥23.2102
10:¥19.7524
100:¥17.1308
250:¥16.2155
参考库存:30748
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

深圳市维基鸿电子有限公司

电话:13148740189

手机:13590238352

传真:0755-82563613

Email: 1076822082@QQ.COM

Q Q:

地址:赛格科技园2栋1008


微信联系我们

深圳市维基鸿电子有限公司版权所有©2018-2024 粤ICP备2022041120号

24小时在线客服
热线电话

0755-82563613

微信联系我们 微信扫码联系我们