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产品分类

晶体管
SIZ902DT-T1-GE3参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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SIZ902DT-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
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库存:53,537(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.6051
11.6051
10
¥9.5259
95.259
100
¥7.3111
731.11
500
¥6.2828
3141.4
1,000
¥4.9607
4960.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAIR-6x5-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
16 A
Rds On-漏源导通电阻
12 mOhms, 6.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
21 nC, 65 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
29 W, 66 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIZ
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
47 S, 63 S
下降时间
10 ns,10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns, 20 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns, 35 ns
典型接通延迟时间
15 ns, 30 ns
零件号别名
SIZ902DT-GE3
单位重量
220 mg
商品其它信息
优势价格,SIZ902DT-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs TO-220AB
1:¥7.2207
10:¥5.7969
100:¥4.407
500:¥3.6386
参考库存:6308
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR SPCL TR
1:¥2.0001
10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.40002
3,000:¥0.30736
参考库存:376325
晶体管
MOSFET 20V Vds 20V Vgs PolarPAK
1:¥22.6678
10:¥18.8258
100:¥14.5996
500:¥12.7577
3,000:¥9.831
6,000:查看
参考库存:16327
晶体管
MOSFET Small Signal Mosfet
1:¥3.7629
10:¥2.7798
100:¥1.7515
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:31779
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
1:¥6.8365
10:¥5.7178
100:¥3.6838
1,000:¥2.9493
2,500:¥2.9493
参考库存:13834
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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