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晶体管
SISF00DN-T1-GE3参考图片

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SISF00DN-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 30V (S1-S2) Cmn Drn PowerPAK 1212-8SCD
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数量单价合计
1
¥11.3678
11.3678
10
¥9.379
93.79
100
¥7.2207
722.07
500
¥6.215
3107.5
1,000
¥4.9042
4904.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8SCD-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
4.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
- 16 V, 20 V
Qg-栅极电荷
53 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
69.4 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIS
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
130 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
32 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns
典型接通延迟时间
10 ns
商品其它信息
优势价格,SISF00DN-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V 121Amp 3.3mOhm N Chan Mosfet
1:¥11.1418
10:¥9.9101
100:¥7.8422
500:¥6.0681
2,500:¥4.3392
5,000:查看
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双极晶体管 - 预偏置 TRANS DIGI BJT NPN 100MA TR
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10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:24822
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
1:¥1.5368
10:¥1.3786
100:¥0.90626
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.25312
参考库存:24827
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥254.0353
250:¥232.1359
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晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Silicon Digital TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥2.0227
100:¥0.84524
1,000:¥0.5763
3,000:¥0.45313
参考库存:24837
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    50万现货SKU

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