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晶体管
SQM50N04-4M0L_GE3参考图片

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SQM50N04-4M0L_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 40 V 40A 150W AEC-Q101 Qualified
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库存：34,867(价格仅供参考)
数量单价合计
800
¥7.684
6147.2
2,400
¥7.2207
17329.68
4,800
¥6.9495
33357.6
9,600
¥6.6896
64220.16
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
2.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
130 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.65 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
110 S
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
39 ns
典型接通延迟时间
9 ns
单位重量
2.200 g
商品其它信息
优势价格，SQM50N04-4M0L_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPB072N15N3GATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
1:¥41.7987
10:¥35.5046
100:¥30.8151
250:¥29.1992
1,000:¥22.0576
2,000:查看
参考库存:21228
IRF3710PBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
1:¥10.6785
10:¥9.1417
100:¥7.0286
500:¥6.2037
1,000:¥4.9042
参考库存:26675
FDD6530A
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 20V N-Ch PowerTrench
1:¥7.1416
10:¥6.1246
100:¥4.7008
500:¥4.1584
2,500:¥2.9154
10,000:查看
参考库存:37467
FDD86102LZ
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥7.8422
10:¥6.7348
100:¥5.1754
500:¥4.5765
1,000:¥3.616
2,500:¥3.616
参考库存:26734
FQP17P06
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 60V P-Channel QFET
1:¥8.3733
10:¥7.1416
100:¥5.4918
500:¥4.8477
参考库存:20811

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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