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晶体管
IPD90N03S4L-03参考图片

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IPD90N03S4L-03

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
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库存：6,671(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.9948
8.9948
10
¥7.6727
76.727
100
¥5.8986
589.86
500
¥5.2093
2604.65
2,500
¥3.6499
9124.75
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
90 A
Rds On-漏源导通电阻
2.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
75 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
94 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
OptiMOS-T2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
37 ns
典型接通延迟时间
9 ns
零件号别名
IPD90N03S4L03ATMA1 IPD9N3S4L3XT SP000274978
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPD90N03S4L-03的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MPS3704
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SW
1:¥4.7686
10:¥4.0002
100:¥2.5086
1,000:¥1.8871
参考库存:22488
MMJT350T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 0.5A 30V 2.75W PNP
1:¥4.7686
10:¥3.9437
100:¥2.4069
1,000:¥1.8645
2,000:¥1.582
参考库存:18940
NSS30100LT1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 2A 30V Low VCEsat
1:¥3.0736
10:¥2.3165
100:¥1.2656
1,000:¥0.94468
3,000:¥0.81473
9,000:¥0.76049
参考库存:39147
NSBA144EF3T5G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SOT-1123 NBRT TRNSTR
1:¥2.7685
10:¥1.7515
100:¥0.75258
1,000:¥0.5763
8,000:¥0.39211
24,000:查看
参考库存:82739
KSP13TA
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
达林顿晶体管 NPN Si Transistor Epitaxial Darlington
1:¥2.3843
10:¥1.582
100:¥0.66105
1,000:¥0.45313
2,000:¥0.35369
参考库存:71296

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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