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晶体管
NSS30100LT1G参考图片

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NSS30100LT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 2A 30V Low VCEsat
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库存:39,147(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.0736
3.0736
10
¥2.3165
23.165
100
¥1.2656
126.56
1,000
¥0.94468
944.68
3,000
¥0.81473
2444.19
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 30 V
集电极—基极电压 VCBO
- 50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
- 0.65 V
最大直流电集电极电流
1 A
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
NSS30100LT1G
高度
0.94 mm
长度
2.9 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.3 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
- 1 A
Pd-功率耗散
310 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,NSS30100LT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Nch 30V 13.5A Si MOSFET
1:¥6.8365
10:¥5.7969
100:¥4.4522
500:¥3.9324
1,000:¥3.1075
2,500:¥2.7459
参考库存:48115
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W -80V
2,500:¥1.00683
参考库存:117338
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥67.235
10:¥60.5454
25:¥55.1666
100:¥49.7878
参考库存:5625
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 500 V, 0.10 Ohm typ., 26 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package
1:¥29.8885
10:¥25.3572
100:¥21.9785
250:¥20.905
1,000:¥15.7522
2,000:查看
参考库存:4847
晶体管
MOSFET N-Channel 500V
1:¥45.2565
10:¥37.4934
100:¥30.8942
250:¥29.8885
500:¥26.8149
参考库存:9819
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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