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晶体管
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STB34N50DM2AG

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Automotive-grade N-channel 500 V, 0.10 Ohm typ., 26 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package
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数量单价合计
1
¥29.8885
29.8885
10
¥25.3572
253.572
100
¥21.9785
2197.85
250
¥20.905
5226.25
1,000
¥15.7522
15752.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
26 A
Rds On-漏源导通电阻
120 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
44 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
190 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
MDmesh
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.6 mm
长度
10.4 mm
产品
Power MOSFET
系列
STB34N50DM2AG
类型
High Voltage
宽度
9.35 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
8.1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11.5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
65.5 ns
典型接通延迟时间
19.5 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，STB34N50DM2AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RN2702JE(TE85L,F)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Gen Trans PNP x 2 ESV, -50V, -100A
1:¥4.3844
10:¥2.4634
100:¥1.07576
1,000:¥0.84524
4,000:¥0.61472
参考库存:19620
ZXT13N15DE6TA
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1:¥5.1528
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
3,000:¥2.2148
参考库存:21137
IRFL024ZTRPBF
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1:¥5.2206
10:¥4.3505
100:¥2.8024
1,000:¥2.2487
2,500:¥2.2487
参考库存:13389
FQD6N40CTM
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 400V N-Channel Advance QFET
1:¥6.5314
10:¥5.6161
100:¥4.3166
500:¥3.8194
1,000:¥3.0171
2,500:¥3.0171
参考库存:24871
BSS806NE H6327
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3
1:¥2.9154
10:¥2.0792
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.62263
参考库存:26033

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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