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晶体管
STB34N50DM2AG参考图片

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STB34N50DM2AG

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Automotive-grade N-channel 500 V, 0.10 Ohm typ., 26 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package
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库存：4,847(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥29.8885
29.8885
10
¥25.3572
253.572
100
¥21.9785
2197.85
250
¥20.905
5226.25
1,000
¥15.7522
15752.2
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
26 A
Rds On-漏源导通电阻
120 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
44 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
190 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
MDmesh
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.6 mm
长度
10.4 mm
产品
Power MOSFET
系列
STB34N50DM2AG
类型
High Voltage
宽度
9.35 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
8.1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11.5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
65.5 ns
典型接通延迟时间
19.5 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，STB34N50DM2AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STB55NF06T4
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 60 Volt 50 Amp
1:¥12.9046
10:¥10.9836
100:¥8.8366
500:¥7.684
1,000:¥6.3619
参考库存:14185
BSO303P H
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET P-Ch -30V -8.2A DSO-8 OptiMOS P
1:¥12.2944
10:¥10.4525
100:¥8.0682
500:¥7.1416
1,000:¥5.6274
2,500:¥5.6274
参考库存:17232
NTD6416ANLT4G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET DPAK 100V 17A 106MO
1:¥7.458
10:¥6.3054
100:¥4.8477
500:¥4.2827
1,000:¥3.3787
2,500:¥2.9945
参考库存:68629
IRL640STRRPBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-Chan 200V 17 Amp
1:¥17.515
10:¥14.9838
800:¥13.0628
参考库存:7776
BUL98
STMicroelectronics
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Hi Vltg FAST SWITCH NPN Pwr TRANSISTOR
1:¥22.4418
10:¥19.0518
100:¥16.5206
250:¥15.6731
参考库存:6638

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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