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晶体管
FDP33N25参考图片

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FDP33N25

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库存:39,786(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.447
13.447
10
¥11.4469
114.469
100
¥9.1417
914.17
500
¥8.0682
4034.1
1,000
¥6.6331
6633.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
33 A
Rds On-漏源导通电阻
94 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
235 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FDP33N25
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
26.6 S
下降时间
120 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
230 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
75 ns
典型接通延迟时间
35 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,FDP33N25的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 60-V Dual N-Channel Power MOSFET
1:¥6.6105
10:¥5.6048
100:¥4.3166
500:¥3.8081
2,500:¥2.6781
10,000:查看
参考库存:140195
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥745.8904
2:¥722.7593
5:¥722.522
10:¥699.244
参考库存:1637
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 60Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 0.6A 0.8W
1:¥17.063
10:¥15.2098
100:¥12.1362
500:¥10.5994
参考库存:2604
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS CPA
1:¥20.3626
10:¥17.289
100:¥14.9838
250:¥14.2154
1,000:¥10.7576
2,000:查看
参考库存:6536
晶体管
MOSFET 90V 4Ohm
1:¥87.5976
10:¥86.3659
25:¥80.2978
100:¥72.772
参考库存:5663
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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