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晶体管
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BSM15GP120

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数量单价合计
1
¥723.6068
723.6068
5
¥710.3067
3551.5335
10
¥678.339
6783.39
25
¥655.7503
16393.7575
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.2 V
在25 C的连续集电极电流
35 A
栅极—射极漏泄电流
300 nA
Pd-功率耗散
180 W
封装 / 箱体
EconoPIM2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM15GP120BOSA1 SP000100373
商品其它信息
优势价格,BSM15GP120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR TRANSISTOR NPN
1:¥4.0002
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
3,000:¥1.3334
参考库存:41377
晶体管
MOSFET N-Channel PT 6V 8A 7mOhm
1:¥16.0573
10:¥13.673
100:¥10.9836
500:¥9.605
800:¥7.91
参考库存:6584
晶体管
MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET TO-26
1:¥27.9675
10:¥23.2102
100:¥19.1309
250:¥18.5207
500:¥16.5997
参考库存:4956
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Si Transistor Epitaxial
1:¥2.0001
10:¥1.3673
100:¥0.56839
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.29945
参考库存:3958
晶体管
MOSFET DTMOSIV 600V 600mOhm DPKw/Hgh Speed Diode
1:¥12.5995
10:¥10.1474
100:¥7.7631
500:¥6.8365
2,000:¥4.7912
10,000:查看
参考库存:12065
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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