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晶体管
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FQP20N06

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数量单价合计
1
¥7.6049
7.6049
10
¥6.5314
65.314
100
¥5.0172
501.72
500
¥4.4296
2214.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
60 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
53 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FQP20N06
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
12 S
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
45 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
5 ns
零件号别名
FQP20N06_NL
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，FQP20N06的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MJE5731G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1A 350V 40W PNP
1:¥8.2264
10:¥7.006
100:¥5.3901
500:¥4.7573
1,000:¥3.7629
参考库存:8959
FD400R12KE3_B5
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module
1:¥1,102.3489
5:¥1,080.6755
10:¥1,030.2662
25:¥1,008.751
参考库存:4541
2DB1694-7
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LOW VSAT PNP SMT 3K
1:¥2.6103
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.41471
参考库存:28178
DSC5G0200L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SM SIG TRANS FLT LD 2.0x2.1mm
1:¥3.4578
10:¥1.9436
100:¥1.03734
500:¥0.86784
3,000:¥0.48364
9,000:查看
参考库存:78185
2N6341G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 25A 150V 200W NPN
1:¥93.0555
10:¥85.5975
20:¥82.0606
100:¥72.3087
参考库存:4987

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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