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晶体管
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A1P35S12M3

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 模块 PTD HIGH VOLTAGE
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库存：3,568(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥301.1337
301.1337
5
¥294.4554
1472.277
10
¥281.0084
2810.084
25
¥269.2451
6731.1275
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
技术
Si
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Sixpack
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
在25 C的连续集电极电流
35 A
栅极—射极漏泄电流
500 nA
Pd-功率耗散
250 W
封装 / 箱体
ACEPACK1
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
A1P35S12M3
商标
STMicroelectronics
安装风格
Through Hole
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
18
子类别
IGBTs
商标名
ACEPACK
商品其它信息
优势价格，A1P35S12M3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PEMB24,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
4,000:¥0.46104
8,000:¥0.39211
24,000:¥0.36838
48,000:¥0.34578
100,000:¥0.29945
参考库存:26892
PHD38N02LT,118
Nexperia
晶体管
MOSFET TAPE13 MOSFET
1:¥4.6895
10:¥3.8533
100:¥2.3504
1,000:¥1.808
2,500:¥1.5481
参考库存:26897
BUK763R4-30,118
Nexperia
晶体管
MOSFET Trans MOSFET N-CH 30V 198A 3pin(2+Tab)
1:¥12.2153
10:¥10.3734
100:¥8.2942
500:¥7.2433
800:¥6.0003
参考库存:26902
JANTX2N2369A
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥66.3875
10:¥59.777
25:¥54.4773
100:¥49.0985
参考库存:3062
BUK7611-55B,118
Nexperia
晶体管
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
1:¥8.4524
10:¥7.2207
100:¥5.537
500:¥4.8929
800:¥3.8646
参考库存:26909

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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