DDTB113ZU-7-F详细信息_DDTB113ZU-7-F相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Diodes Incorporated
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	1 kOhms
典型电阻器比率	0.1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-323-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	56
集电极连续电流	500 mA
峰值直流集电极电流	500 mA
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	DDTB113
封装	Reel
高度	1 mm
长度	2.2 mm
宽度	1.35 mm
商标	Diodes Incorporated
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	5 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SGP07N120	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 8A	1:¥26.894 10:¥22.826 100:¥19.8202 250:¥18.8258	参考库存:8526
IPA60R125CP	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 650V 25A TO220FP-3 CoolMOS CP	1:¥44.7254 10:¥37.9567 100:¥32.883 250:¥31.1993 500:¥28.0466	参考库存:3778
IRG4IBC30WPBF	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 600V Warp 60-150kHz	1:¥23.8204 10:¥20.2044 100:¥17.515 250:¥16.6788 500:¥14.9047	参考库存:5210
MPSA93-AP	Micro Commercial Components (MCC)	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) -500mA -200V	1:¥4.0002 10:¥2.2939 100:¥1.3334 500:¥1.08367 2,000:¥0.69156 10,000:查看	参考库存:88472
DMS3016SSS-13	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET DIOFET MOSFETN-CHAN ENH MDE SCHOT DIODE	1:¥3.2996 10:¥2.7798 100:¥1.695 1,000:¥1.3108 2,500:¥1.11418	参考库存:28467