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晶体管
TPN2R503NC,L1Q参考图片

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TPN2R503NC,L1Q

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 2230pF 40nC 2.5mOhm 85A 35W
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数量单价合计
5,000
¥3.9889
19944.5
10,000
¥3.842
38420
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSON-Advance-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
85 A
Rds On-漏源导通电阻
2.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
40 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
35 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
高度
0.85 mm
长度
3.1 mm
系列
TPN2R503NC
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.1 mm
商标
Toshiba
下降时间
24 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
68 ns
典型接通延迟时间
14 ns
商品其它信息
优势价格，TPN2R503NC,L1Q的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RJK0655DPB-00#J5
Renesas Electronics
晶体管
MOSFET Power MOSFET
1:¥17.5941
10:¥15.9104
25:¥14.2154
100:¥12.7577
2,500:¥7.6727
5,000:查看
参考库存:38296
BSM50GD60DLC
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 600V 50A 3-PHASE
10:¥753.1902
30:¥728.059
100:¥677.9548
参考库存:38301
RMP6N70T2
Rectron
晶体管
MOSFET TO-220 MOSFET
2,000:¥2.5086
4,000:¥2.2939
10,000:¥2.1018
24,000:¥2.0566
参考库存:38306
RM11N800T1
Rectron
晶体管
MOSFET TO-220F MOSFET
1,000:¥14.3736
2,000:¥12.2944
4,000:¥11.2209
参考库存:38311
2SC4690-O(F)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor NPN 140V 10A
暂无价格
参考库存:38316

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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