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晶体管
BSZ0902NSI参考图片

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BSZ0902NSI

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库存:26,957(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.6049
7.6049
10
¥6.5427
65.427
100
¥5.0285
502.85
500
¥4.4409
2220.45
1,000
¥3.503
3503
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
2.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
24 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
48 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
50 S
下降时间
3.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.4 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
3.9 ns
零件号别名
BSZ0902NSIATMA1 BSZ92NSIXT SP000854388
商品其它信息
优势价格,BSZ0902NSI的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
1:¥47.3357
10:¥39.1884
100:¥32.2728
250:¥31.2784
参考库存:46889
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 6A 15V
1:¥4.7686
10:¥3.9437
100:¥2.4069
1,000:¥1.8645
3,000:¥1.5933
参考库存:349284
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
3,000:¥0.52997
9,000:¥0.46895
24,000:¥0.43844
参考库存:46896
晶体管
MOSFET N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
1:¥36.6572
10:¥31.1202
100:¥27.0522
250:¥25.6623
参考库存:6666
晶体管
MOSFET 30V Single N-Channel HEXFET
1:¥19.5151
10:¥16.5206
100:¥13.221
500:¥11.6051
800:¥9.605
参考库存:7438
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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