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晶体管
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IPW65R110CFD

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 700V 31.2A TO247-3 CoolMOS CFD2
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数量单价合计
1
¥47.4826
47.4826
10
¥40.341
403.41
100
¥34.9622
3496.22
250
¥33.1994
8299.85
500
¥29.7416
14870.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
31.2 A
Rds On-漏源导通电阻
99 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
118 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
277.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
21.1 mm
长度
16.13 mm
系列
CoolMOS CFD2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.21 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
68 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
IPW65R110CFDFKSA1 IPW65R11CFDXK SP000895232
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，IPW65R110CFD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN2N4234
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥364.764
250:¥340.4012
参考库存:31458
JAN2N3420S
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥159.2848
250:¥146.1542
500:¥139.1595
参考库存:31463
JAN2N2857UB
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥452.5876
参考库存:31468
JANTX2N2218AL
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥91.2814
250:¥83.2132
500:¥77.8344
1,000:¥71.4612
参考库存:31473
JAN2N3735L/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥90.6712
250:¥82.6821
500:¥77.3824
1,000:¥70.9979
参考库存:31478

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