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晶体管
CSD16413Q5A参考图片

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CSD16413Q5A

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
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库存:31,767(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.2152
10.2152
10
¥8.6784
86.784
100
¥6.6896
668.96
500
¥5.9212
2960.6
2,500
¥4.1471
10367.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
4.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD16413Q5A
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.9 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
95 S
下降时间
5.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15.9 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10.7 ns
典型接通延迟时间
9.1 ns
单位重量
100 mg
商品其它信息
优势价格,CSD16413Q5A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET
1,000:¥21.5152
2,000:¥20.4417
参考库存:29092
晶体管
MOSFET 30V 20A 1.6W
2,500:¥13.3679
5,000:¥12.8368
参考库存:29097
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥924.6112
参考库存:29102
晶体管
IGBT 模块 Output & SW Modules - IAP IGBT
24:¥748.3425
48:¥723.3695
72:¥713.4594
参考库存:29107
晶体管
MOSFET 600V 4A Single N-Chan Pwr MOSFET
4,000:¥3.8759
6,000:¥3.6838
10,000:¥3.5934
26,000:¥3.5143
参考库存:29112
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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