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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Diodes Incorporated
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-363-6
通道数量	2 Channel
晶体管极性	N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压	60 V, 50 V
Id-连续漏极电流	115 mA, 130 mA
Rds On-漏源导通电阻	7.5 Ohms, 10 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压	1 V, 800 mV
Vgs - 栅极-源极电压	5 V
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	200 mW
配置	Dual
通道模式	Enhancement
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	1 mm
长度	2.2 mm
产品	MOSFET Small Signal
系列	BSS84
晶体管类型	1 N-Channel, 1 P-Channel
类型	Enhancement Mode Field Effect Transistor
宽度	1.35 mm
商标	Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值	0.08 S, 0.05 S
产品类型	MOSFET
工厂包装数量	3000
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	11 ns, 18 ns
典型接通延迟时间	7 ns, 10 ns
单位重量	6 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
PDTA114ET,235	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW	1:¥1.3108 10:¥1.1639 100:¥0.41471 1,000:¥0.27685 10,000:¥0.18419 20,000:查看	参考库存:100382
2SC4617EBHZGTLR	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V 0.15A 0.15W SOT-416FL	1:¥2.2261 10:¥1.5368 100:¥0.64523 1,000:¥0.43844 3,000:¥0.34578	参考库存:33229
NVMFD5C478NLWFT1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 40V 14.5 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8	1:¥7.0738 10:¥6.0794 100:¥4.6669 500:¥4.1245 1,500:¥2.8928 9,000:查看	参考库存:55896
BCX53,115	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MED PWR TAPE-7	1:¥3.0736 10:¥2.1809 100:¥1.00683 1,000:¥0.7684 2,000:¥0.66105	参考库存:28338
10502	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor	1:¥3,678.7941 5:¥3,447.8108	参考库存:27970