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晶体管
TP2520N8-G参考图片

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TP2520N8-G

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库存:13,695(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.9892
9.9892
10
¥9.831
98.31
25
¥8.2942
207.355
100
¥7.5145
751.45
2,000
¥5.1867
10373.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
260 mA
Rds On-漏源导通电阻
12 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.6 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.6 mm
长度
4.6 mm
产品
MOSFET Small Signal
晶体管类型
1 P-Channel
类型
FET
宽度
2.6 mm
商标
Microchip Technology
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
52.800 mg
商品其它信息
优势价格,TP2520N8-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed in a D2PAK package
1:¥21.5152
10:¥18.2834
100:¥14.5996
500:¥12.8368
参考库存:8544
晶体管
MOSFET PCH+PCH MOS FET FLT LD 2.9x2.8mm
3,000:¥2.486
参考库存:35008
晶体管
MOSFET 20V, Dual P-Channel Trench MOSFET
3,000:¥1.11418
9,000:¥1.04525
24,000:¥0.9831
45,000:¥0.9605
99,000:¥0.92999
参考库存:35013
晶体管
MOSFET 30V Dual N-ch Power MOSFET 3.3x3.25mm
5,000:¥1.5707
10,000:¥1.5142
25,000:¥1.4577
50,000:¥1.4125
参考库存:35018
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
2,500:¥4.2375
参考库存:35023
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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