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晶体管
IPD30N08S2L-21参考图片

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IPD30N08S2L-21

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数量单价合计
1
¥9.4468
9.4468
10
¥8.0682
80.682
100
¥6.2037
620.37
500
¥5.4918
2745.9
2,500
¥3.842
9605
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
75 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
20.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
56 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
44 ns
典型接通延迟时间
9 ns
零件号别名
IPD30N08S2L21ATMA1 IPD3N8S2L21XT SP000252170
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPD30N08S2L-21的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500V PNP HiPerf Transistor
1:¥4.5313
10:¥3.8194
100:¥2.3278
1,000:¥1.7967
4,000:¥1.5368
参考库存:87945
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100V NPN Medium Pwr Low Sat Transistor
1:¥4.6895
10:¥3.8872
100:¥2.373
1,000:¥1.8419
2,500:¥1.5594
参考库存:95447
晶体管
MOSFET P-CH 20V 1.5A
1:¥4.6895
10:¥3.842
100:¥2.4747
1,000:¥1.9775
3,000:¥1.6724
参考库存:38399
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 10K
1:¥3.616
10:¥2.3843
100:¥1.02152
1,000:¥0.78422
10,000:¥0.52997
20,000:查看
参考库存:38404
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor
1:¥1.3108
10:¥1.2317
100:¥0.43844
1,000:¥0.29154
3,000:¥0.22261
参考库存:757959
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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