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晶体管
SI2323DDS-T1-GE3参考图片

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SI2323DDS-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -20V Vds 8V Vgs SOT-23
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库存:67,846(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.6895
4.6895
10
¥3.5369
35.369
100
¥2.6329
263.29
500
¥2.1583
1079.15
1,000
¥1.6724
1672.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
5.3 A
Rds On-漏源导通电阻
39 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
24 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.7 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.45 mm
长度
2.9 mm
系列
SI2
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.6 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
18 S
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
52 ns
典型接通延迟时间
24 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,SI2323DDS-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 600V UltraFast Trench IGBT
1:¥28.2726
10:¥23.9786
100:¥20.8259
250:¥19.7524
参考库存:7012
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W -60V
1:¥2.9945
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
2,500:¥1.00683
参考库存:8869
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:169711
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Silicon Digital TRANSISTOR
1:¥1.5368
10:¥1.04525
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.23843
参考库存:5498
晶体管
MOSFET -40V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified
1:¥9.5259
10:¥7.8422
100:¥6.0342
500:¥5.198
3,000:¥3.8307
6,000:查看
参考库存:136100
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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