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晶体管

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BSM200GD60DLC

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数量单价合计
1
¥2,094.6584
2094.6584
5
¥2,044.2491
10221.2455
10
¥1,993.5347
19935.347
25
¥1,965.5672
49139.18
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.45 V
在25 C的连续集电极电流
226 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
700 W
封装 / 箱体
EconoPACK 3A
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
122 mm
宽度
62 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM200GD60DLCBOSA1 SP000100395
商品其它信息
优势价格,BSM200GD60DLC的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Big Chip SELine
1:¥8.9157
10:¥7.6388
100:¥5.876
500:¥5.1867
1,000:¥4.0906
参考库存:14697
晶体管
MOSFET MOSFET N CH 60V 172A TO247
1:¥25.4363
10:¥21.5943
100:¥18.7467
250:¥17.7523
500:¥15.9104
参考库存:11189
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE
1:¥21.357
10:¥18.1365
100:¥15.6731
250:¥14.9047
1,000:¥11.30
2,000:查看
参考库存:9436
晶体管
MOSFET 30V 23A 3.5W
1:¥17.4472
10:¥14.4414
100:¥11.2209
500:¥9.831
2,500:¥9.831
参考库存:27248
晶体管
达林顿晶体管 NPN Power Darlington
1:¥5.4579
10:¥4.5087
100:¥2.9154
1,000:¥2.3278
2,500:¥1.9662
参考库存:27775
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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