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晶体管
SIHF520STRR-GE3参考图片

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SIHF520STRR-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
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数量单价合计
1
¥7.6049
7.6049
10
¥6.2263
62.263
100
¥4.7799
477.99
500
¥4.1132
2056.6
800
¥3.2431
2594.48
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
9.2 A
Rds On-漏源导通电阻
270 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
16 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
60 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
2.7 S
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
8.8 ns
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NSS20200DMTTBG
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR
1:¥4.6895
10:¥3.955
100:¥2.5538
1,000:¥2.034
3,000:¥1.7176
参考库存:34690
PBSS5330XZ
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PBSS5330X/MPT3/REEL 7" Q2/T3 *
1:¥2.6894
10:¥2.0792
100:¥1.13
1,000:¥0.84524
2,000:¥0.72998
参考库存:24245
DMN3009SFG-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 30V N-Ch Enh FET 20Vgs Low Rdson
3,000:¥2.3956
参考库存:34247
RN1314,LF
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 BRT 0.1A 50V 1KOhm / 10KOhm
1:¥1.5368
10:¥1.2543
100:¥0.52997
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.22261
参考库存:34699
DMN67D8L-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS
10,000:¥0.20792
20,000:¥0.18419
50,000:¥0.1695
参考库存:34704

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    50万现货SKU

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