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晶体管
BSC123N08NS3GATMA1参考图片

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BSC123N08NS3GATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 80V 55A TDSON-8 OptiMOS 3
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库存:110,097(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.1417
9.1417
10
¥7.7631
77.631
100
¥6.0116
601.16
500
¥5.3223
2661.15
1,000
¥4.1923
4192.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
55 A
Rds On-漏源导通电阻
12.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
19 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
66 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
22 S
开发套件
EVAL_1K4W_ZVS_FB_CFD7
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
BSC123N08NS3 BSC123N8NS3GXT G SP000443916
单位重量
172 mg
商品其它信息
优势价格,BSC123N08NS3GATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Nch 600V 20A MOSFET
1:¥49.2567
10:¥41.8778
100:¥36.273
250:¥34.4198
参考库存:4495
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Lo Vltg FAST SWITCH Hi GAIN PNP
1:¥3.2318
10:¥2.3165
100:¥1.05994
1,000:¥0.81473
3,000:¥0.69947
参考库存:118667
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP BJT NPN 50V 0.15A 5PIN
1:¥3.0736
10:¥2.3165
100:¥1.2656
1,000:¥0.94468
3,000:¥0.81473
参考库存:13379
晶体管
MOSFET Dual -20V P-Ch FET 260mOhm -4.5V -0.9A
1:¥3.0736
10:¥2.0001
100:¥0.86106
1,000:¥0.66105
10,000:¥0.44522
20,000:查看
参考库存:96876
晶体管
IGBT 晶体管 TRENCHSTOP 5 S5 is the new IGBT family addressing applications switching between 10kHz and 40kHz to deliver high efficiency, faster time-to-market cycles, circuit design complexity reduction and PCB bill of material cost optimization.
1:¥36.273
10:¥30.8151
100:¥26.7358
250:¥25.3572
500:¥22.7469
参考库存:3293
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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