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晶体管
JANTXV2N3501参考图片

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JANTXV2N3501

  • Microsemi
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
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库存:1,970(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥191.7158
191.7158
5
¥182.1108
910.554
10
¥177.3422
1773.422
25
¥162.9799
4074.4975
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-39-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
150 V
集电极—基极电压 VCBO
150 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
200 mV
最大直流电集电极电流
300 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
封装
Bulk
商标
Microchip / Microsemi
Pd-功率耗散
1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,JANTXV2N3501的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 80A DPAK-2 OptiMOS-T
2,500:¥3.7629
10,000:¥3.616
25,000:¥3.5143
参考库存:32746
晶体管
MOSFET SMD- Small Signal P-Channel Mosfet
1:¥4.4522
10:¥3.8194
100:¥2.6555
1,000:¥1.9662
8,000:¥1.6046
24,000:查看
参考库存:485987
晶体管
MOSFET POWER MOSFET
3,000:¥4.3844
9,000:¥4.2262
参考库存:32753
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥548.8636
参考库存:32758
晶体管
IGBT 晶体管 HIGH POWER
375:¥29.5834
750:¥26.5098
1,125:¥22.3627
2,625:¥21.2892
参考库存:32763
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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