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晶体管
R6020ENZ1C9参考图片

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R6020ENZ1C9

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
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库存:2,926(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥28.0466
28.0466
10
¥23.8204
238.204
100
¥20.6677
2066.77
250
¥19.5942
4898.55
450
¥17.5941
7917.345
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
170 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
60 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
120 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
5 S
下降时间
67 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
53 ns
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
150 ns
典型接通延迟时间
35 ns
零件号别名
R6020ENZ1
单位重量
10 mg
商品其它信息
优势价格,R6020ENZ1C9的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET PT8 Nch 40/20V Power Trench MOSFET
1:¥12.0684
10:¥10.2943
100:¥8.2264
500:¥7.1642
3,000:¥5.537
6,000:查看
参考库存:14346
晶体管
IGBT 模块 LOW POWER EASY
1:¥286.003
5:¥282.9972
10:¥263.7872
25:¥251.9561
参考库存:4908
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
1:¥39.4144
10:¥33.5045
100:¥29.041
250:¥27.5833
参考库存:7040
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50H-TF4/HWONLY///BOARDS NO MARK
1:¥10,051.0562
5:¥9,943.096
参考库存:4777
晶体管
IGBT 晶体管 Trench Gate IGBT M Series 650V 4A
1:¥8.9157
10:¥7.6388
100:¥5.876
500:¥5.1867
参考库存:9039
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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