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晶体管
FGA6530WDF参考图片

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FGA6530WDF

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库存:4,322(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥24.5097
24.5097
10
¥20.8259
208.259
100
¥18.0574
1805.74
250
¥17.1308
4282.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PN-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
176 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGA6530WDF
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
+/- 400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格,FGA6530WDF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET PFET 20V .88A 1OHM
1:¥3.1527
10:¥2.3843
100:¥1.2882
1,000:¥0.96841
3,000:¥0.83733
9,000:¥0.78422
参考库存:138263
晶体管
MOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 15A
1:¥43.3355
10:¥36.8832
100:¥31.9677
250:¥30.3518
参考库存:26943
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Gain
1:¥4.9155
10:¥4.1358
100:¥2.5199
1,000:¥1.9549
2,000:¥1.6724
参考库存:8080
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 45V 800mA
1:¥1.695
10:¥1.5594
100:¥0.46895
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:31407
晶体管
MOSFET Dual N-Ch FET 60V 60Vdg 40Vgs 350Pd
1:¥3.7629
10:¥2.7233
100:¥1.5707
1,000:¥1.1413
3,000:¥0.9831
参考库存:36859
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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