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晶体管
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FGA6530WDF

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库存:4,322(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥24.5097
24.5097
10
¥20.8259
208.259
100
¥18.0574
1805.74
250
¥17.1308
4282.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PN-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
176 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGA6530WDF
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
+/- 400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格,FGA6530WDF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS DOUBLE TAPE-7
1:¥4.3844
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
3,000:¥1.4577
参考库存:23081
晶体管
MOSFET -20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET
1:¥6.3732
10:¥5.1528
100:¥3.9098
500:¥3.2318
3,000:¥3.2318
参考库存:112333
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 120V 1A NPN/PNP lo VCEsat transistor
1:¥3.2996
10:¥2.7233
100:¥1.6611
1,000:¥1.2882
3,000:¥1.09836
参考库存:21545
晶体管
MOSFET FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56pF
1:¥2.0001
10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.40002
3,000:¥0.30736
参考库存:25692
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MED PWR TAPE-7
1:¥2.9154
10:¥2.2713
100:¥1.2317
1,000:¥0.92999
2,000:¥0.79891
参考库存:22799
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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