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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Infineon
产品种类	IGBT 模块
产品	IGBT Silicon Modules
配置	Dual Dual Collector Dual Emitter
集电极—发射极最大电压 VCEO	1700 V
在25 C的连续集电极电流	1150 A
封装 / 箱体	IHM130
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 125 C
封装	Tray
高度	38 mm
长度	140 mm
宽度	130 mm
商标	Infineon Technologies
安装风格	SMD/SMT
栅极/发射极最大电压	20 V
产品类型	IGBT Modules
工厂包装数量	2
子类别	IGBTs
零件号别名	FF800R17KE3NOSA1 SP000100585

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
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IRG4BC40SPBF	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 600V DC-1 KHZ (STD) DISCRETE IGBT	1:¥28.9732 10:¥24.6679 100:¥21.357 250:¥20.2835	参考库存:10487
STLD128DNT4	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN power transistor	1:¥6.3732 10:¥5.2658 100:¥3.4013 1,000:¥2.7233 2,500:¥2.2939	参考库存:9149
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