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晶体管
MG12105S-BA1MM参考图片

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MG12105S-BA1MM

  • Littelfuse
  • 新批次
  • IGBT 模块 1200V 100A Dual
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数量单价合计
1
¥580.9104
580.9104
5
¥569.4635
2847.3175
10
¥545.6431
5456.431
25
¥528.049
13201.225
50
¥520.9752
26048.76
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Littelfuse
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
200 nA
Pd-功率耗散
690 W
封装 / 箱体
Package S
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Bulk
系列
MG12105S
商标
Littelfuse
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
100
子类别
IGBTs
单位重量
160 g
商品其它信息
优势价格，MG12105S-BA1MM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TSC5304EDCH C5
Taiwan Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) High voltage NPN Transistor w/diode
3,750:¥2.0001
5,625:¥1.9662
11,250:¥1.808
26,250:¥1.7289
参考库存:29356
GTVA220701FA-V1-R2
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥878.2021
参考库存:29361
NVMFS5C442NAFT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6-D3F 40V NFET
5,000:¥2.9154
10,000:¥2.8024
25,000:¥2.7233
参考库存:29366
GTVA220701FA-V1-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥878.2021
参考库存:29371
FQD12N20LTM-F085P
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET 200V /9A/0.28 OHM @ VGS=10V
2,500:¥5.6161
参考库存:29376

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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