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晶体管
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IPD80R600P7ATMA1

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数量单价合计
1
¥12.1362
12.1362
10
¥10.3734
103.734
100
¥7.91
791
500
¥7.0512
3525.6
1,000
¥5.5709
5570.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DPAK-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
510 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
20 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
60 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
CoolMOS P7
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
8 ns
零件号别名
IPD80R600P7 SP001644246
单位重量
334.200 mg
商品其它信息
优势价格，IPD80R600P7ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI7973DP-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 12V 12.8A 1.4W
3,000:¥10.9158
6,000:¥10.5316
9,000:¥10.1474
参考库存:31116
PTFC261402FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥646.5295
参考库存:31121
2N5794U
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥411.8624
参考库存:31126
CMPTA14E TR
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15,000:¥0.49155
24,000:¥0.46104
45,000:¥0.41471
99,000:¥0.40002
参考库存:31131
PTRA083818NF-V1-R5
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
500:¥738.2064
参考库存:31136

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    50万现货SKU

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