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晶体管

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APT95GR65B2

  • Microsemi
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  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
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库存:2,661(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥81.0662
81.0662
10
¥72.9189
729.189
25
¥66.4666
1661.665
50
¥61.9353
3096.765
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
208 A
Pd-功率耗散
892 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
208 A
商标
Microchip / Microsemi
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,APT95GR65B2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PQMD3/DFN1010B-6/REEL 7" Q2/T3
1:¥2.8476
10:¥1.9097
100:¥0.79891
1,000:¥0.54579
5,000:¥0.42262
参考库存:29147
晶体管
MOSFET Auto 40V N-Ch FET 1.4mOhm 195A
1:¥23.5153
10:¥19.9784
100:¥17.289
250:¥16.4415
参考库存:7299
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 30Vcbo PNP Low Noise 30Vceo 625mW 200mA
1:¥5.537
10:¥4.7686
100:¥3.3109
1,000:¥2.4634
参考库存:19826
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥8.0682
500:¥7.0286
5,000:¥5.2206
10,000:查看
参考库存:83158
晶体管
MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280 mOhm
1:¥28.0466
100:¥26.9731
500:¥25.6623
参考库存:10645
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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