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晶体管
SSM3J35AMFV,L3F参考图片

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SSM3J35AMFV,L3F

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V
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库存:66,218(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.0792
2.0792
10
¥1.356
13.56
100
¥0.56839
56.839
1,000
¥0.3842
384.2
8,000
¥0.25312
2024.96
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-723-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
250 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Toshiba
正向跨导 - 最小值
430 mS
下降时间
145 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
42 ns
工厂包装数量
8000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
420 ns
典型接通延迟时间
17 ns
单位重量
1.500 mg
商品其它信息
优势价格,SSM3J35AMFV,L3F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
1:¥2.4634
10:¥1.7176
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:117383
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 22K
1:¥3.1527
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
参考库存:16150
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS Low Sat Transisto X1-DFN1006-3,10K
1:¥3.5369
10:¥2.4521
100:¥1.13
1,000:¥0.86784
10,000:¥0.67574
20,000:查看
参考库存:25152
晶体管
IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency - Single
1:¥300.6704
2:¥292.4553
5:¥284.3871
10:¥276.2398
参考库存:1179
晶体管
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1:¥7.2998
10:¥6.2263
100:¥4.7912
500:¥4.2375
2,500:¥2.9606
10,000:查看
参考库存:7956
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    50万现货SKU

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