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晶体管
STW56N60DM2参考图片

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STW56N60DM2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.052 Ohm typ., 50 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
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库存:2,574(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥73.1562
73.1562
10
¥66.1615
661.615
25
¥63.0879
1577.1975
100
¥54.7146
5471.46
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
60 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
90 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
360 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
系列
STW56N60DM2
商标
STMicroelectronics
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
60 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
130 ns
典型接通延迟时间
24 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STW56N60DM2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 650V 50A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
1:¥36.6572
10:¥31.1202
100:¥27.0522
250:¥25.6623
参考库存:5295
晶体管
MOSFET T6 60V S08FL SINGLE
1:¥5.4579
10:¥4.5765
100:¥2.9493
1,000:¥2.3617
1,500:¥2.0001
参考库存:24817
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT 1200V 40A FS3 LOW VF
1:¥47.1775
10:¥40.115
100:¥34.7362
250:¥32.9621
500:¥29.5834
参考库存:8399
晶体管
IGBT 模块 SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 8 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs
1:¥74.9981
10:¥67.7774
25:¥64.6247
100:¥56.0932
参考库存:3496
晶体管
MOSFET LOW POWER_NEW
1:¥6.6105
10:¥5.6387
100:¥4.3392
500:¥3.8307
3,000:¥2.6781
9,000:查看
参考库存:89098
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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