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晶体管
ZXT13N20DE6TA参考图片

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ZXT13N20DE6TA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20V NPN SuperSOT4
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库存:32,843(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.1528
5.1528
10
¥4.2827
42.827
100
¥2.7685
276.85
1,000
¥2.2148
2214.8
3,000
¥2.2148
6644.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-6
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
集电极—基极电压 VCBO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7.5 V
集电极—射极饱和电压
170 mV
最大直流电集电极电流
4.5 A
增益带宽产品fT
96 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZXT13N
直流电流增益 hFE 最大值
250 at 10 mA, 2 V
高度
1.3 mm
长度
3.1 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.8 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
4.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
250 at 10 mA, 2 V, 300 at 1 A, 2 V, 200 at 5 A, 2 V, 15 at 15 A, 2 V
Pd-功率耗散
1.1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
6.500 mg
商品其它信息
优势价格,ZXT13N20DE6TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 130Vdss 20Vgss
1:¥4.068
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
3,000:¥1.3334
参考库存:28724
晶体管
MOSFET PMOS PWR56 40V 4.9 MOHM
1:¥15.142
10:¥12.8368
100:¥10.2943
500:¥8.9948
3,000:¥6.9721
6,000:查看
参考库存:16486
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥15.8313
10:¥13.447
100:¥10.7576
500:¥9.4468
1,000:¥7.8422
参考库存:46903
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP DPAK NPN 2A 80V
1:¥6.5314
10:¥5.3788
100:¥3.4691
1,000:¥2.7798
2,500:¥2.3391
参考库存:13890
晶体管
MOSFET MOS Discretes WLCSP
1:¥3.2318
10:¥2.4295
100:¥1.3221
1,000:¥0.99101
参考库存:68712
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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