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晶体管
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ZXT13N20DE6TA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20V NPN SuperSOT4
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数量单价合计
1
¥5.1528
5.1528
10
¥4.2827
42.827
100
¥2.7685
276.85
1,000
¥2.2148
2214.8
3,000
¥2.2148
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-6
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
集电极—基极电压 VCBO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7.5 V
集电极—射极饱和电压
170 mV
最大直流电集电极电流
4.5 A
增益带宽产品fT
96 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZXT13N
直流电流增益 hFE 最大值
250 at 10 mA, 2 V
高度
1.3 mm
长度
3.1 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.8 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
4.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
250 at 10 mA, 2 V, 300 at 1 A, 2 V, 200 at 5 A, 2 V, 15 at 15 A, 2 V
Pd-功率耗散
1.1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
6.500 mg
商品其它信息
优势价格，ZXT13N20DE6TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ALD310702SCL
Advanced Linear Devices
晶体管
MOSFET Quad P-Channel EPAD Matched Pair
1:¥40.2619
10:¥38.5782
25:¥35.3464
50:¥33.8096
参考库存:3479
FDD4141
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET -40V P-Channel PowerTrench
1:¥7.2998
10:¥6.2376
100:¥4.7912
500:¥4.2375
1,000:¥3.3448
2,500:¥3.3448
参考库存:143526
BC 858A E6327
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon AF TRANSISTOR
1:¥1.5368
10:¥1.4012
100:¥0.49946
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:7678
ALD212902PAL
Advanced Linear Devices
晶体管
MOSFET Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
1:¥40.341
10:¥36.1148
25:¥32.4988
50:¥31.6626
参考库存:3430
FS820R08A6P2BBPSA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 HYBRID PACK DRIVE
1:¥4,674.1772
5:¥4,392.5586
参考库存:3307

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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